半导体物理器.pptxVIP

第八章 发光二极管和半导体激光器;1907.Round发现电流通过硅检波器时有黄光发生1923.Lossev在碳化硅检波器中观察到类似现象1955.Braunstein首次在三-五族化合物中观察到辐射复合1961.Gershenzon观察到磷化镓PN结发光1962年砷化镓发光二极管和激光器研制成功1970年砷化镓-铝镓砷激光器实现室温连续;8.1辐射复合和非辐射复合;8.1.1辐射复合;8.1.1 辐射复合;(8-2)式说明这种跃迁发生在 空间的同一地点，因此也被称为竖直跃迁。;辐射复合;辐射复合;辐射复合;辐射复合;8.1辐射复合;8.1辐射复合;8.1辐射复合;近年来，在发光材料的研究中，发现束缚激子的发光起重要作用，而且有很高的发光效率。如 材料中 对产生的束缚激子引起红色发光。氮等电子陷阱产生的束缚激子引起绿色发光。这两种发光机制使发光二极管的发光效率大大提高，成为发光二极管的主要发光机制。激子发光的研究越来越受到人们的重视。;8.1.1 辐射复合;辐射复合;8.1.1辐射复合; 8.1.2非辐射复合;8.1.2非辐射复合;8.1.2非辐射复合;8.1.2非辐射复合;非辐射复合;8.1 辐射复合与非辐射复合;8.2 LED的基本结构和工作过程 ;8.2 LED的基本结构和工作过程 ;8.2 LED的基本结构和工作过程 ;8.3 LED的特性参数;8.3.2 量子效率;量子效率;量子效率;量子效率;量子效率;量子效率;根据（8-21）式，欲提高 ，可采用的方法是;3.逸出几率 逸出几率 也叫做出光效率被定义为PN结辐射复合产生的光子射到晶体外部的百分数。;量子效率;N型半导体圆顶