一种提高硅晶圆上金属薄膜电路附着力的方法.pdfVIP

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2023-05-25 发布于四川
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一种提高硅晶圆上金属薄膜电路附着力的方法.pdf

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本发明公开了一种提高硅晶圆上金属薄膜电路附着力的方法，属于微波集成电路微加工技术领域，所述方法为：采用常温直流磁控溅射在硅晶圆上进行金属薄膜生长，完成金属薄膜电路图形化后，将硅晶圆放入高温高压气氛炉中进行一定时长的保温保压处理，然后进行降温取片即得；采用本发明的方法与现有技术相比，金属薄膜电路膜层附着力具有显著提高，常温磁控溅射工艺将整体工艺时间缩短一半以上，满足硅基腔体环行器器件生产对器件可靠性和生产效率的要求。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112234023 A (43)申请公布日 2021.01.15 (21)申请号 202011487048.1 H01P 1/38 (2006.01) (22)申请日 20