图像传感器及其形成方法.pdfVIP

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2023-05-25 发布于四川
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图像传感器及其形成方法.pdf

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一种图像传感器及其形成方法，所述方法包括：提供半导体衬底；形成覆盖所述半导体衬底的N型掺杂的外延层；对所述外延层进行离子注入，以在所述外延层内形成成对的光电二极管的P型掺杂区域；其中，所述成对的P型掺杂区域之间的区域作为所述光电二极管的N型掺杂区域。本发明可以增大光电二极管的深度，提升满阱容量和近红外性能。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112259624 A (43)申请公布日 2021.01.22 (21)申请号 202010937392.X (22)申请日 2020.09.08 (71)申请人联合