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本发明公开了一种写入电压可调的非易失性阻变存储器及其制备方法，属于阻变存储器件领域。该存储器件包括：衬底、底电极、阻变功能层和顶电极。所述阻变功能层为通过旋涂两种聚合物混合溶液制备的表面含有纳米孔洞的有机聚合物薄膜。通过改变混合溶液的旋涂条件，能够实现薄膜孔洞尺寸可调，进而实现器件写入电压的精确调控。本发明的存储器件结构简单、易于加工，展现出非易失性存储特性且能够实现对写入电压进行精确调控，在信息存储领域具有广阔的应用前景。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112382722 A
(43)申请公布日 2021.02.19
(21)申请号 202011206255.5
(22)申请日 2020.11.02
(71)申请人 南京工业大学
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