沟槽栅功率器件及其制备方法.pdfVIP

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2023-05-25 发布于四川
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沟槽栅功率器件及其制备方法.pdf

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本申请实施例公开了一种沟槽栅功率器件的制备方法及沟槽栅功率器件，其中所述制备方法包括：提供一衬底，刻蚀衬底以在衬底中形成沟槽；在沟槽的内表面上形成一场氧化层，并进一步在沟槽中形成屏蔽栅以及用于形成沟槽栅的栅极凹槽；在屏蔽栅上形成隔离介质层，并对隔离介质层回刻蚀，以保留屏蔽栅上的隔离介质层；在栅极凹槽中填充多晶硅并回刻蚀，以形成沟槽栅；去除沟槽栅所暴露出的隔离介质层；生长一层栅氧化层，在栅极凹槽的衬底侧壁形成栅氧化层，同时在暴露的屏蔽栅上形成栅间介质层。这样能解决现有技术中存在的屏蔽栅残留FOX表

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112233983 A (43)申请公布日 2021.01.15 (21)申请号 202011164364.5 (22)申请日 2020.10.27 (71)申请人上海华虹宏力半导体制造有限公司