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本发明公开了一种自组装双极性有机场效应晶体管存储器及其制备方法，存储器由上至下依次包括源漏电极、有机半导体层、栅绝缘层和衬底，有机半导体层和栅绝缘层之间设有电荷俘获层，电荷俘获层为十八烷基三氯硅烷与具有高介电常数的聚合物通过自组装而形成的纳米柱状薄膜；制备方法通过两种聚合物溶液组合自组装，构造出纳米柱的结构，从而实现电荷空穴载流子的传输以达到的双极性信息存储。同时，混合两种聚合物的自组装降低了制备超平滑OTS层的难度，对比于超平滑OTS薄膜晶体管存储器，混合自组装的晶体管存储器表现出明显的电荷稳
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112259683 B
(45)授权公告日 2022.08.26
(21)申请号 202010964464.X H01L 51/40 (2006.01)
(22)申请日 2020.09
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