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本发明公开了一种纳米阵列与隧道结构共存有机场效应晶体管存储器及其制备方法，存储器由上至下依次包括源漏电极、有机半导体层、栅绝缘层和衬底，有机半导体层和栅绝缘层之间设有电荷存储层，电荷存储层为具有高介电常数的聚合物溶液通过旋涂调控而得到的纳米薄膜，纳米薄膜表面为纳米阵列与隧道结构共存的的结构，电荷存储层的厚度为10~30nm；制备方法采用旋涂溶液加工法制备。本发明通过简单的调节旋涂转速便可调控纳米整列与隧道结构的薄膜形貌，实现了大存储容量，高迁移率和开关比，存储器件具有电子和空穴双重俘获能力并具有
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112259684 B
(45)授权公告日 2022.08.26
(21)申请号 202010964466.9 H01L 51/40 (2006.01)
(22)申请日 2020.09
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