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本发明公开了一种腐蚀自对准工艺实现的碳纳米管晶体管器件制造方法，具体为：1)在衬底上设置碳纳米管薄膜；2)在碳纳米管薄膜上设置一层金属薄膜；3)在金属薄膜上划分出源极区域、漏极区域和沟道区域，并去除以上区域之外的金属薄膜和碳纳米管薄膜；4)在沟道区域上划分出栅极区域；5)对沟道区域进行腐蚀，并在沟道区域和源极金属电极区域之间，以及沟道区域和漏极金属电极区域之间形成间隙，作为栅极和源、漏电极之间的间隔；6)在沟道区域上制备栅介质；7)在栅介质上覆盖栅金属，从而完成碳纳米管FET器件的制备。本发明简
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112259609 B
(45)授权公告日 2022.07.22
(21)申请号 202011041499.2 (51)Int.Cl.
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