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半导体装置.pdfVIP

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  • 2023-05-25 发布于四川
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半导体装置.pdf

    本发明具备：第1半导体芯片，其形成有场效应晶体管，该场效应晶体管具有栅极端子、漏极端子以及与接地用端子连接的源极端子；第2半导体芯片，其具有直流地连接的输入端子和输出端子，第2半导体芯片具有与输入端子和接地用端子连接的第1电容器；第1电感，其连接在输出端子与栅极端子之间；第2电感，其第1端子与输入端子连接；第2电容器，其连接在第2电感的第2端子与接地用端子之间；保护二极管，其具有阴极、与接地用端子连接的阳极，保护二极管构成为，至少大于或等于2个沿正向串联连接；以及第3电感，其连接在阴极与第2端子

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 110521114 A (43)申请公布日 2019.11.29 (21)申请号 20178

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