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2023-05-25 发布于四川
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本发明涉及一种薄膜沉积设备，包括第一阳极筒、第二阳极筒、第一磁过滤弯管道、第二磁过滤弯管道、磁过渡腔体、进气管道、第三磁过滤弯管道和真空室，第一磁过滤弯管道将从第一阳极筒引出的第一金属颗粒吸附至内壁上，第二磁过滤弯管道将从第二阳极筒引出的第二金属颗粒吸附至内壁上，第一磁过滤弯管道和第二磁过滤弯管道过滤掉金属颗粒，通入反应气体后，第三磁过滤弯管道将从磁过渡腔体引出的反应气体中性粒子吸附至内壁上，过滤掉反应气体中性粒子，使进入真空室的等离子体中不掺杂金属颗粒和反应气体中性粒子，第一金属等离子体、第二

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112226732 A (43)申请公布日 2021.01.15 (21)申请号 202011111104.1 (22)申请日 2020.10.16 (71)申请人廖斌地址 5190

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