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一种接触孔刻蚀方法.pdfVIP

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  • 2023-05-25 发布于四川
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一种接触孔刻蚀方法.pdf

    本申请实施例公开一种接触孔刻蚀方法，包括：提供半导体结构，半导体结构包括若干堆叠排布的控制栅结构，控制栅结构的至少一侧形成台阶区域，台阶区域内下层控制栅结构侧壁凸出于上层控制栅结构侧壁；半导体结构还包括覆盖台阶区域的介质层；在介质层上形成硬掩膜层；采用第一光刻工艺在硬掩膜层上定义出与控制栅结构一一对应的接触孔图形；通过所述硬掩膜层为掩膜刻蚀介质层，以在介质层内形成与控制栅结构一一对应的接触孔；从高层台阶区域到低层台阶区域逐步刻蚀所述介质层，以使第二组接触孔加深到至少暴露部分控制栅结构表面。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 111430298 A (43)申请公布日 2020.07.17 (21)申请号 20201

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