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本发明公开了一种具有原位V型纳米孔结构的深紫外LED及其制备方法，该具有原位V型纳米孔结构的深紫外LED由下至上依次设置有蓝宝石衬底、AlN本征层、n型AlGaN电子注入层、电流扩展层、V型纳米孔层、量子阱有源层、电子阻挡层、p型AlGaN注入层和p型GaN接触层；所述V型纳米孔层为具有若干V型纳米孔的AlGaN膜层，所述V型纳米孔为锥状结构，并设置于所述V型纳米孔层靠近所述量子阱有源层一侧，所述V型纳米孔的孔径为5～200nm。本发明通过在量子阱有源区生长前，通过降低生长温度的方式引入原位v型
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112242466 A
(43)申请公布日 2021.01.19
(21)申请号 202011057376.8
(22)申请日 2020.09.29
(71)申请人 苏州紫灿科技有限公司
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