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- 2023-05-25 发布于四川
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本发明提供一种半导体装置。根据实施方式，半导体装置包含第一～第三区域和第一～第三电极。第一区域包含SiC，包含第一、第二部分区域、和第一、第二部分区域之间的第三部分区域。从第一部分区域向第一电极的方向、从第二部分区域向第二电极的方向、从第三部分区域向第三电极的方向沿第一方向。从第一电极向第二电极的第二方向与第一方向交叉。在第二方向，第三电极位于第一、第二电极之间。第二区域包含Alx2Ga1‑x2N(0.2≤x2
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 110491938 A
(43)申请公布日
2019.11.22
(21)申请号 20191
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