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提供具有自旋轨道转矩及电压控制磁异向性辅助型多位元SOT记忆胞结构。根据本发明实施例的磁存储单元包括重金属层和包括自由层、阻障层及固定层的磁穿隧接面元件。重金属层位于自由磁性层的下方，铜接垫位于磁穿隧接面元件的外部并沿重金属层放置。阻障层、自由层及重金属层向外延伸，大于固定层的椭圆形顶部电极层。本实施例的磁性存储器结构扩大了习知装置上的处理窗口，并且缝合到重金属层上的铜接垫用于降低单元写入电压。平面充电电流通过铜接垫施加到重金属层，正电流将SOT及VCMA磁性记忆单元驱动到高电阻状态，即从平行状
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112242484 A
(43)申请公布日
2021.01.19
(21)申请号 20201
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