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用于对多电平自选择存储器单元进行编程的技术.pdfVIP

用于对多电平自选择存储器单元进行编程的技术.pdf

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    本发明提供用于对包含硫属化物材料的多电平自选择存储器单元进行编程的技术。为了将一或多个中间存储器状态编程到所述自选择存储器单元，可使用包含两个脉冲的编程脉冲序列。所述编程脉冲序列的第一脉冲可具有第一极性及第一量值，且所述编程脉冲序列的第二脉冲可具有不同于所述第一极性的第二极性及不同于所述第一量值的第二量值。在施加所述编程脉冲序列中的两个脉冲之后，所述自选择存储器单元可存储表示两个数据位(例如，逻辑‘01’或逻辑‘10’)的中间状态。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112219240 A (43)申请公布日 2021.01.12 (21)申请号 201980037775.7 (74)专利代理机构 北京律盟知识产权代理有限

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