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碳化硅电池.pdfVIP

碳化硅电池.pdf

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    本发明提供一种碳化硅电池，涉及太阳能光伏技术领域。碳化硅电池包括：硅基底，硅基底的向光面上的碳化硅吸收层；硅基底具有多个第一导电孔，第一导电电极形成于第一导电孔内，第一导电电极用于传输碳化硅吸收层产生的第一类载流子；硅基底为本征或轻掺杂的硅；碳化硅吸收层包含具有中间带的碳化硅材料。碳化硅吸收层位于硅基底的向光面，碳化硅吸收层包含具有中间带的碳化硅材料，简化了碳化硅电池的生产工艺，具备较高的生产效率，使得碳化硅电池量产变得容易。硅基底上的第一导电孔，以及位于第一导电孔内的第一导电电极传输碳化硅吸收

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112259630 B (45)授权公告日 2022.06.10 (21)申请号 202011159794.8 H01L 31/0236 (2006.01)

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