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一种倒装GaN功率器件封装结构及其制备方法.pdfVIP

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  • 2023-05-26 发布于四川
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一种倒装GaN功率器件封装结构及其制备方法.pdf

    本发明公开一种倒装GaN功率器件封装结构，包括陶瓷基板，陶瓷基板表面下沉有开槽，开槽的槽体形状呈倒“凹”型，开槽槽体底部和陶瓷基板背部覆有铜层，倒”凹”型槽体的上部中间涂覆有绝缘漆，绝缘漆层的长边两侧和正面铜层之间开有V槽，倒”凹”形槽体的下部和长边一侧正面铜层各点上焊锡膏，V槽外侧正面铜层上，远离绝缘漆的一侧通过焊锡膏倒装贴附有芯片，倒”凹”型槽体的下部通过焊锡膏和引线框架脚架焊接区进行焊接。保证芯片在倒扣的状态下安全焊接，对引线框架有定位作用，保证框架在焊接过程中不会出现滑移现象。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112289752 B (45)授权公告日 2023.04.11 (21)申请号 202011381123.6 H01L 23/488 (2006.01)

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