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本发明提供一种氮化镓半导体器件及其制备方法，氮化镓半导体器件包括氮化镓外延片及其上方的源极、栅极、漏极，还包括依次形成在氮化镓外延片上的第一介质层、欧姆金属层、第二介质层、第三介质层和栅极金属接触部；欧姆金属层包括源极欧姆接触部和漏极欧姆接触部，源极依次穿过第三介质层和第二介质层后与源极欧姆接触部连接，漏极依次穿过第三介质层和第二介质层后与漏极欧姆接触部连接，栅极与栅极金属接触部连接；氮化镓外延片包括势垒层和帽层，源极欧姆接触部和漏极欧姆接触部均向下延伸至势垒层，栅极金属接触部向下延伸至帽层。该
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112259607 A
(43)申请公布日 2021.01.22
(21)申请号 202011265890.0
(22)申请日 2020.11.13
(71)申请人 英诺赛科（珠海）科技有限公司
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