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本申请公开了一种半导体器件及其制作方法，半导体器件包括核心区和阶梯区，阶梯区具有顶部选择区和分区阶梯结构区；顶部选择区具有沿第一方向逐级延伸的第一阶梯组和沿第二方向逐级延伸的第二阶梯组，第二方向与第一方向垂直设置；分区阶梯结构区具有沿第二方向逐级延伸的第三阶梯组；第一阶梯组、第二阶梯组和第三阶梯组的阶梯级数相同，且同一级的阶梯的厚度相同；第一阶梯组中的阶梯与第二阶梯组中的阶梯一一对应连接，形成“L”形阶梯；第二阶梯组中的阶梯和第三阶梯组中的阶梯在所述第一方向上对齐设置。本申请可以在形成阶梯区时减
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112259538 B
(45)授权公告日 2022.01.11
(21)申请号 202011136209.2 H01L 27/11524 (2017.01)
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