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本发明提供了一种半导体激光器件及其制备方法，半导体激光器件包括第一电极、第二电极、设于第一电极及第二电极之间且从第一电极朝向第二电极方向依次设置的衬底、第一限制层、第一波导层、有源区、第二波导层、第二限制层、欧姆接触层和欧姆接触层与第二限制层接触的透射光栅层。本发明在P面电极与P型限制层之间设置透射光栅层，提高半导体激光器的高分辨率，使其具有高光束质量优势。能同时满足X射线自支撑闪耀透射光栅的大有效面积和侧壁光滑的需求。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112260059 A
(43)申请公布日 2021.01.22
(21)申请号 202011141092.7
(22)申请日 2020.10.22
(71)申请人 广东鸿芯科技有限公司
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