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本发明公开了一种具有缺陷g‑C3N4纳米片光催化剂的制备方法，属于半导体光催化材料制备的技术领域。该方法包括以下步骤：1)称取三聚氰胺，放置于坩埚中，在马弗炉中升温煅烧，500‑580℃煅烧1‑6h，冷却至室温，研磨成粉末；2)取步骤1)获得的粉末样品，放置于磁舟中，在马弗炉中再次升温煅烧，480‑620℃煅烧1‑6h，冷却至室温，研磨成粉末，得到具有缺陷g‑C3N4纳米片光催化剂。本申请通过调控温度将块状g‑C3N4剥离为纳米片并构建缺陷，使其具有更高的光催化性能。制备方法操作简单，重复性高，
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112246272 A
(43)申请公布日 2021.01.22
(21)申请号 202011152023.6 C02F 101/30 (2006.01)
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