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本公开提供了一种三维存储器及制备方法、存储系统，涉及半导体芯片技术领域，三维存储器包括阵列器件和第一外围器件。阵列器件包括：第一基底、存储堆叠结构和栅线隔离结构。存储堆叠结构设置在第一基底上，包括交替叠置的栅绝缘层和栅极层。栅线隔离结构包括多个导电部和第一绝缘层，多个导电部中的每个导电部穿存储堆叠结构和第一基底，第一绝缘层设置在导电部与栅极层之间，以及相邻的导电部之间。第一外围器件设置在第一基底远离存储堆叠结构的一侧。导电部延伸至第一外围器件，并与第一外围器件电连接。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116156897 A
(43)申请公布日 2023.05.23
(21)申请号 202211174501.2 H10B 41/27 (2023.01)
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