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一种晶圆及其加工工艺.pdfVIP

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  • 2023-05-26 发布于四川
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一种晶圆及其加工工艺.pdf

    本申请涉及集成电路制造领域，公开了一种晶圆加工工艺，包括：获得经过背清洗后的晶圆；利用碱性溶液对所述晶圆的背面进行清洗，中和所述晶圆的背面在背清洗后残留的酸性物质；对经过所述碱性溶液清洗后的所述晶圆进行光刻。本申请对经过背清洗后的晶圆，在对晶圆背面进行光刻之前，利用碱性溶液对晶圆的背面进行清洗，碱性溶液可以中和掉背面在背清洗后残留的酸性物质。由于背清洗后残留的酸性物质被中和去除，即使在光刻后背面边缘有化学物质的残留，也不会在晶圆背面边缘产生白色晶体缺陷，提升晶圆品质，同时避免后续流片破片的风险。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 115985758 A (43)申请公布日 2023.04.18 (21)申请号 202211640569.5 (22)申请日 2022.12.20 (71)申请人 上海集成电路装备材料产业创新中

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