原创力文档- 1、本文档共14页，其中可免费阅读13页，需付费10金币后方可阅读剩余内容。
- 2、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。
- 3、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
- 4、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
- 5、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
- 6、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 7、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 8、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
本发明涉及半导体器件领域，公开了一种三维存储器及其制造方法。所述三维存储器包括：衬底，包括第一区域，以及第一区域外围的第二区域；阵列结构，位于衬底的第一区域上方；电容结构，位于第二区域中，且包括：介质层，位于衬底的第二区域之上；第一电极层，位于部分介质层上；绝缘层，位于第一电极层上；第一导电结构，垂直延伸于绝缘层，并与第一电极层相接触；第二导电结构，垂直延伸于绝缘层与介质层，且位于第一电极层外围，并与衬底相接触。本发明提供的三维存储器及其制造方法实现了将部分电容结构从CMOS晶圆转移到阵列晶圆上
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112259539 B
(45)授权公告日 2022.04.15
(21)申请号 202011083907.0 H01L 27/11531 (2017.01)
文档评论（0）