IPB026N06N INFINEON 英飞凌芯片 中文版规格书.pdfVIP

  • 1
  • 0
  • 约2.84万字
  • 约 9页
  • 2023-05-29 发布于广东
  • 举报

IPB026N06N INFINEON 英飞凌芯片 中文版规格书.pdf

Type IPB026N06N OptiMOSTM Power-Transistor Product Summary Features VDS 60 V • Optimized for synchronous rectification • 100% avalanche tested RDS(on),max 2.6 mW • Superior thermal resistance

文档评论(0)

1亿VIP精品文档

相关文档