IPB014N06N INFINEON 英飞凌芯片 中文版规格书.pdfVIP

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  • 2023-05-29 发布于广东
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IPB014N06N INFINEON 英飞凌芯片 中文版规格书.pdf

Type IPB014N06N OptiMOSTM Power-Transistor Features Product Summary • Optimized for synchronous rectification VDS 60 V • 100% avalanche tested RDS(on),max 1.4 mW • Superior thermal resistance

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