溅射薄膜沉积06.docxVIP

溅射薄膜沉积 ⊙薄膜 在基片上形成的厚度从单原子层到约 5μm 的物质。 ----特点：具有不同于固体块材的表面效应。 ⊙各种沉积薄膜的技术 ⊙溅射产生背景：辉光放电，异常辉光放电中，放电装置壁沉积导电薄膜。 ⊙定义：荷能粒子轰击固体材料，使材料以原子状态从表面逸出的现象。 荷能粒子：离子、原子或分子（电子？） 表面作用：溅射 唯一? ⊙溅射历史 1853 年：法拉第气体放电实验，发现沉积现象， 但没有引起重视。 1902 年：证实膜是正离子轰击阴极的溅射产物 1960：Bell 实验室溅射沉积IC 中Ta 膜 1965 年：IBM 采用 rf 溅射沉积绝缘膜 1969 年：三级溅射 1974 年：平面磁控溅射 ⊙溅射产生条件： 被轰击物质 任何物质 入射粒子阈能 克服结合力，结合能 ⊙溅射产生过程：入射离子----碰撞靶原子 原子离 位----级连碰撞----到达表面 离开表面 溅射阈能：引起靶材原子发生位移的入射粒子的最小能量 AI 13 13 15 18 Rh 25 24 25 25 TI 22 20 27 28 Pd 20 20 20 15 V 21 23 25 28 Ag 12 15 15 17 Cr 22 22 18 20 Ta 25 26 30 30 Fe 22 20 25 23 W 35 33 30 30 Co 20 25 22 22 Re 35 35 25 30