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本发明公开了一种提升单晶硅PERC电池发射极方阻均匀性的扩散工艺，扩散工艺中的前沉积步骤采用至少三步梯度变温通源，总变温范围为801～821℃，大N2流量为800～2000sccm，小N2流量为700～1100sccm，O2流量为300～700sccm，扩散炉炉内压强为70～110mbar。采用梯度变温通源扩散法，通过设定合理的O2流量与小N2流量、炉内压强，以及前沉积梯度变温通源，炉管中气流更加均匀、反应更加充分，整体波动性降低，保证了体掺杂浓度分布的阶梯性、均匀性，使电池片体掺杂更为平缓、表
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 115976649 A
(43)申请公布日 2023.04.18
(21)申请号 202211647032.1
(22)申请日 2022.12.21
(71)申请人 中节能太阳能科技
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