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本公开实施例公开了一种相变存储器及其制作方法，方法包括：在第一导电层表面形成依次层叠设置的第一电极层、选通层、第二电极层、相变存储层、第三电极层、停止层和第一掩膜层；其中，停止层硬度大于第三电极层硬度；在第一掩膜层中形成第一预设图案，以显露停止层的部分区域；基于第一预设图案，形成贯穿停止层、第三电极层、相变存储层、第二电极层、选通层、第一电极层和第一导电层的第一隔离结构；形成第一隔离结构后，去除第一掩膜层和停止层，以基于停止层的形貌形成第一凹槽；形成覆盖第一隔离结构和第一凹槽的第二导电层；其中，
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112271254 B
(45)授权公告日 2021.12.28
(21)申请号 202011160307.X (51)Int.Cl.
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