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本申请公开了一种应用于图像传感器的接触孔形成方法，涉及半导体制造领域。该方法包括形成传输栅极结构；在传输栅极结构两侧进行源漏区离子注入形成源漏区；在栅极侧墙的外侧形成辅助侧墙；依次形成金属硅化物阻挡层、刻蚀阻挡层、层间介质层；通过光刻工艺定义源漏区接触孔图案；通过刻蚀工艺依次去除源漏区接触孔图案对应的层间介质层、刻蚀阻挡层；采用预定刻蚀选择比刻蚀金属硅化物阻挡层形成源漏区接触孔；在刻蚀金属硅化物阻挡层的过程中，金属硅化物阻挡层的刻蚀速率大于辅助侧墙的刻蚀速率；解决了制作CIS器件时减小源漏区注入
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112259568 B
(45)授权公告日 2022.06.07
(21)申请号 202011139697.2 (56)对比文件
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