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监测聚合物层的干法蚀刻以转移半导体器件.pdfVIP

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  • 2023-05-26 发布于四川
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监测聚合物层的干法蚀刻以转移半导体器件.pdf

    实施例涉及将发光二极管从载体基底放置到目标基底。至少一个LED嵌入在基底上的聚合物层中。蚀刻在至少一个LED和基底之间的聚合物层。在聚合物层的蚀刻期间监测聚合物层的厚度。响应于确定聚合物层的厚度在目标范围或目标值内，终止聚合物层的蚀刻。响应于对聚合物层进行干法蚀刻，使拾取工具(PUT)与至少一个LED的背离基底的至少一个表面接触，并且在至少一个LED附接到PUT的情况下抬起PUT。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112313779 A (43)申请公布日 2021.02.02 (21)申请号 201880095037.3 (74)专利代理机构 北京安信方达知识产权代理

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