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- 2023-05-27 发布于四川
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本发明提供硅晶片的制造方法，该制造方法可抑制P聚集缺陷(Si‑P缺陷)，且可抑制外延膜中的SF。该硅晶片的制造方法具备以下工序：在500℃以下的温度下，利用CVD法仅在基板的背面形成至少厚度为300nm的Si氧化膜的工序，上述基板是由通过直拉法培育的Si单晶铸锭制造的；热处理工序，在上述Si氧化膜的形成工序后，将上述基板在氧化性气氛下、于1100℃以上且1250℃以下的一定温度下保持30分钟以上且120分钟以下；以及表面氧化膜去除工序，在上述热处理工序后，去除形成于上述基板的表面侧的热氧化膜，且
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 115135818 A
(43)申请公布日 2022.09.30
(21)申请号 202180015717.1 (74)专利代理机构 中国专利代理(香港)有限公
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