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一种避免叠对量测标记损坏的方法.pdfVIP

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  • 2023-05-27 发布于四川
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一种避免叠对量测标记损坏的方法.pdf

    本发明提供一种避免叠对量测标记损坏的方法，在硅基底的切割道区域的有源区上形成多个凸起的硅结构；在硅结构上形成第一至第三介质层；在第一至第三介质层上形成Fin的轴心结构及侧墙；在轴心结构之间的硅基底形成STI区；去除切割道区域上硅结构在其高度上的一部分，剩余的硅结构的高度高于STI区150～300埃；在切割道上硅结构的剩余部分上形成多个伪栅极，之后覆盖介质层以填充伪栅极之间的间隙；之后研磨介质层以露出伪栅极顶部；去除伪栅极形成金属栅极；将形成于切割道区域上剩余的硅结构上的金属栅极作为叠对量测标记对

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116169043 A (43)申请公布日 2023.05.26 (21)申请号 202111409279.5 (22)申请日 2021.11.25 (71)申请人 上海华力集成电路制造有限公司 地址

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