存储器件及其制造方法.pdfVIP

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  • 2023-05-27 发布于四川
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一种存储器件包括:安排在外围电路结构的衬底上的存储阵列;延伸穿过所述存储阵列并且连接到所述外围电路结构的导体插塞;以及安排在所述存储阵列之上并且包括彼此隔开的多个导体衬垫的导体衬垫层。所述导体插塞伸入所述多个导体衬垫中的对应导体衬垫中。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112740404 A (43)申请公布日 2021.04.30 (21)申请号 202080004207.X H01L 21/768 (2006.01) (22)申请日

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