原创力文档- 0
- 0
- 约1.99万字
- 约 23页
- 2023-05-27 发布于四川
- 举报
本揭露提供了半导体器件结构及其制造方法。所述半导体器件结构包含衬底、第一氮化物半导体层、第二氮化物半导体层、栅极结构、第一间隔物、第二间隔物和漏电极。所述第一氮化物半导体层安置在所述衬底上。所述第二氮化物半导体层安置在所述第一氮化物半导体层上。所述栅极结构安置在所述第二氮化物半导体层上。所述第一间隔物安置于邻近所述栅极结构的第一表面处。所述第二间隔物安置于邻近所述栅极结构的第二表面安置处。与所述第一间隔物相比，所述漏电极相对邻近于所述第二间隔物安置。所述第一间隔物具有第一长度，且所述第二间隔物具
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112753105 A
(43)申请公布日 2021.05.04
(21)申请号 202080005344.5 H01L 29/778 (2006.01)
文档评论（0）