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本发明提供了一种芯片用高纯钽溅射性能测定方法，包括：获取待分析钽靶样本；在钽靶样本上打若干个标记点；获取钽靶样本的SEM像；根据标记点确定位置，在位置进行取样，得到样品，去除样品表面应力层；将样品放入扫描电镜中，根据标记点找到SEM像中的区域，扫描EBSD图并做出相应的反极图；根据EBSD图及反极图确定样品的微观结构；基于微观结构，结合微观结构对溅射速度的影响分析结果确定溅射性能，其中，微观结构对溅射速度的影响分析结果，采用一块溅射后的钽靶，应用SEM、EBSD等技术分析晶粒尺寸和晶向与溅射速率
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 115980109 A
(43)申请公布日 2023.04.18
(21)申请号 202211449268.4
(22)申请日 2022.11.18
(71)申请人 燕山大学
地址 066004 河
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