分栅快闪存储器及其制备方法.pdfVIP

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2023-05-27 发布于四川
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分栅快闪存储器及其制备方法.pdf

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本发明提供的一种分栅快闪存储器及其制备方法，该制备方法包括：提供一半导体衬底，半导体衬底包括相邻的存储区和逻辑区，存储区形成有字线栅极，逻辑区形成有多晶硅层，且暴露出了所述字线栅极的端点，字线栅极包括覆盖共享字线的氧化物层；刻蚀所述端点处的氧化物层；形成图形化的掩模层，图形化的掩模层在字线栅极的端点处暴露出部分长度的字线栅极，还覆盖了逻辑区用于形成逻辑栅极的区域；以图形化的掩模层为掩模，刻蚀多晶硅层，并去除剩余图形化的掩模层，以形成逻辑栅极。本发明通过刻蚀端点处的氧化物层，有利于减少在后续工艺中

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 111293120 A (43)申请公布日 2020.06.16 (21)申请号 20201