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2023-05-27 发布于四川
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一种半导体器件及其制备方法.pdf

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本发明公开了一种半导体器件及其制备方法，半导体器件包括衬底；位于衬底一侧的掺杂外延层；位于掺杂外延层远离衬底一侧的沟道层；其中，掺杂外延层的电阻大于沟道层的电阻；位于沟道层远离掺杂外延层一侧的势垒层；位于势垒层远离沟道层一侧的阳极和阴极，阳极贯穿势垒层、沟道层以及部分掺杂外延层，阳极与沟道层形成肖特基接触。采用上述技术方案，阳极贯穿沟道层并与掺杂外延层直接接触，不仅可以降低半导体器件的开启电压，还可以降低反偏漏电，保证半导体器件兼顾低开启电压低反向漏电的技术效果，提升半导体器件电学性能。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112331718 B (45)授权公告日 2022.02.22 (21)申请号 201910717046.8 H01L 21/335 (2006.01)

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