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一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，基底包括衬底以及凸出于衬底的鳍部，基底上形成有栅极结构，栅极结构横跨鳍部且覆盖鳍部的部分顶部和部分侧壁；在栅极结构两侧的鳍部中形成第一源漏掺杂层；在第一源漏掺杂层上形成至少一层第二源漏掺杂层，形成第二源漏掺杂层的步骤包括：形成位于衬底上且露出第一源漏掺杂层或位于下方第二源漏掺杂层的保护层；在保护层露出的第一源漏掺杂层或位于下方第二源漏掺杂层上形成第二源漏掺杂层；在保护层上形成覆盖第二源漏掺杂层的层间介质层；在层间介质层和保护层中形成包围第一源漏
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112309858 A
(43)申请公布日
2021.02.02
(21)申请号 20191
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