半导体器件及其形成方法.pdfVIP

半导体器件及其形成方法.pdf

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本发明提供一种半导体器件及其形成方法，其形成方法包括：提供基底，所述基底上具有层间介质层；在所述层间介质层上形成刻蚀阻挡层；刻蚀所述刻蚀阻挡层至露出所述层间介质层表面，形成开口；在所述开口内填充满高电阻层。本发明使得形成的半导体器件的性能和稳定性得到提高；同时保证形成的高电阻层具有较高的质量。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112309954 A (43)申请公布日 2021.02.02 (21)申请号 20191

知识产权出版社有限责任公司（原名专利文献出版社）成立于1980年8月，由国家知识产权局主管、主办。长期以来，知识产权出版社非常重视专利数据资源的建设工作，经过多年来的积累，已经收藏了数以亿计的中外专利数据资源。

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