屏蔽栅沟槽型器件的版图结构及制造方法.pdfVIP

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2023-05-27 发布于四川
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屏蔽栅沟槽型器件的版图结构及制造方法.pdf

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本发明提供了一种屏蔽栅沟槽型器件的版图结构及制造方法，版图结构包括：衬底；位于所述衬底内的第一沟槽和第二沟槽，所述第一沟槽分为第一部分沟槽和第二部分沟槽，所述第二部分沟槽靠近所述第一部分沟槽两端的端部设置，并且所述第二部分沟槽沿第一部分沟槽的宽度方向向第一部分沟槽的两侧突出，所述第二部分沟槽的宽度大于所述第一部分沟槽的宽度，所述第二沟槽将相邻的第二部分沟槽连接；位于第一沟槽内的源多晶硅和第一栅多晶硅，位于第二沟槽内的第二栅多晶硅；位于第二部分沟槽的源多晶硅上的第一通孔，位于第二栅多晶硅上的第二通

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112310069 A (43)申请公布日 2021.02.02 (21)申请号 202010986503.6 (22)申请日 2020.09.18 (71)申请人上海华虹宏力半导体制造有限公司

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