一种CMOS图像传感器及其制作方法.pdfVIP

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2023-05-27 发布于四川
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一种CMOS图像传感器及其制作方法.pdf

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本发明提供一种CMOS图像传感器及其制作方法，该CMOS图像传感器包括衬底、光电二极管、分布式布拉格反射镜及金属布线层，其中，衬底包括相对设置的正面与背面；光电二极管位于衬底中；分布式布拉格反射镜位于衬底的正面；金属布线层位于分布式布拉格反射镜背离衬底的一面。本发明采用分布式布拉格反射镜代替传统的金属反射镜来实现近红外光的反射，有利于降低成本，并可避免金属反射镜的相关问题，性能更优异。此外，通过结合深沟槽隔离技术、背面散射技术，可以进一步增大近红外光的光程，将近红外光有效地限制在光电二极管内部，

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112331687 A (43)申请公布日 2021.02.05 (21)申请号 202011380134.2 (22)申请日 2020.11.30 (71)申请人联合微电子中心有限责任公司

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