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一种铌酸锂周期光栅结构的制备方法.pdfVIP

一种铌酸锂周期光栅结构的制备方法.pdf

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    本发明公开一种铌酸锂周期光栅结构的制备方法。该方法选取合适尺寸的Y36°和Y128°切向的同成份铌酸锂晶片作为基底，在225℃下质子交换3个小时，然后采用湿法刻蚀的方法，即将样品放入HF‑HNO3混合刻蚀液中10个小时，得到周期光栅结构。本发明基于湿法刻蚀法制作周期光栅，该制作方法操作简便，无需掩模光刻，刻蚀的选择性好，成本较低，有利于推广和应用。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112305651 A (43)申请公布日 2021.02.02 (21)申请号 20191

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