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本发明属于光刻技术领域,具体公开了一种晶圆调平方法、芯片键合方法、芯片键合设备及光刻系统。其中晶圆调平方法包括:在调平区域中选择调平检测点;对每一调平检测点,获取调平检测点的X和Y坐标,键合头沿Z坐标方向靠近调平检测点的过程中,实时检测键合头内部流量变化,获取调平检测点的Z坐标;拟合得到拟合调平平面,求得调平区域的整体倾斜度;调整晶圆台。芯片调平方法在进行芯片键合前,先对晶圆采用上述晶圆调平方法进行调平;芯片键合设备采用芯片键合方法进行键合,光刻系统包括芯片键合设备。本发明提供的晶圆调平方法、芯
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113745126 A
(43)申请公布日
2021.12.03
(21)申请号 20201
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