二极管结构的制造方法.pdfVIP

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2023-05-27 发布于四川
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二极管结构的制造方法.pdf

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一种二极管结构的制造方法，包含形成第一堆叠在基板上的硅层上。形成相对的多个第一侧壁间隔物，沿着且覆盖第一堆叠的两侧壁。选择性蚀刻硅层至第一预定深度，从而形成第二堆叠，剩余的硅层包含硅底板。形成相对的多个第二侧壁间隔物，沿着且覆盖第二堆叠的两侧壁。选择性蚀刻硅底板，从而形成第三堆叠在基板上。以第二侧壁间隔物为罩幕，进行侧向电浆离子植入。所述制造方法可以减少两相邻半导体层之间界面上的缺陷的形成。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 111599678 A (43)申请公布日 2020.08.28 (21)申请号 20201