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一种VCSEL芯片金薄膜蚀刻液及其蚀刻方法.pdfVIP

一种VCSEL芯片金薄膜蚀刻液及其蚀刻方法.pdf

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    本发明涉及芯片制造技术领域，公开了一种VCSEL芯片金薄膜蚀刻液及其蚀刻方法，所述蚀刻液的组分包括碘‑碘化钾‑水溶液和醇，所述VCSEL芯片金薄膜的蚀刻方法，使用到上述的刻蚀液，包括以下步骤，将醇加入到碘‑碘化钾‑水溶液中，搅拌均匀，得到刻蚀液；然后将VCSEL芯片制程完成电镀工艺后的晶圆放入到刻蚀液中，静置浸泡，待溅射金完全蚀刻干净后，用水冲洗烘干。本发明使得VCSEL芯片金薄膜蚀刻均匀形貌变好，有效地解决VCSEL芯片在通过湿法金薄膜蚀刻后剩余电镀金层形貌不规则，粗糙度大的问题。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112322294 B (45)授权公告日 2022.04.22 (21)申请号 202011031219.X (56)对比文件

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