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- 2023-05-28 发布于四川
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本发明公开了一种沟槽功率器件及其制造方法，涉及功率器件半导体制造领域，包括如下步骤：A、元胞结构的制备；B、接触孔、钨栓的制备；C、蚀刻形成电路；D、淀积钝化层，蚀刻钝化层。本发明可以克服工厂的光刻机台的工艺能力，对栅极沟槽与源极沟槽的相对位置的工艺限制，进一步提高集成度。通过同时制造栅极沟槽与源极沟槽，克服了上述光刻工艺难点，且由于没有增加掩模版，成本可控。可以进一步缩小元胞密度，减少导通电阻，提高器件效率。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112382566 A
(43)申请公布日 2021.02.19
(21)申请号 202011264302.1
(22)申请日 2020.11.12
(71)申请人 重庆万国半导体科技有限公司
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