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STI结构的制作方法、STI结构及半导体器件.pdfVIP

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  • 2023-05-28 发布于四川
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STI结构的制作方法、STI结构及半导体器件.pdf

    本发明一个或多个实施例公开了一种STI结构的制作方法、STI结构及半导体器件，其中，STI结构的制作方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成沟槽；对所述沟槽的内壁进行掺杂；在所述沟槽中填充隔离介质，以该方法制作的STI结构可增强半导体器件的抗辐照能力。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112382606 A (43)申请公布日 2021.02.19 (21)申请号 202011264441.4 (22)申请日 2020.11.11 (71)申请人 海光

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