一种LED芯片的制备方法.pdfVIP

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2023-05-28 发布于四川
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一种LED芯片的制备方法.pdf

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本发明提供一种LED芯片的制备方法，包括提供一衬底，在衬底上生长N型外延层以及P型外延层，并颠倒两个外延层的位置，同时露出两个外延层的位置，并在半成品芯片上得到P金属电极和N金属电极，接着在半成品芯片上覆盖绝缘层，接着在半成品芯片上形成牵引电极孔，然后生成牵引电极，以使P金属电极与N金属电极处于同一高度平面，通过干法刻蚀将半成品芯片分成若干独立芯粒，接着生长钝化层以及焊线电极，形成成品芯片。本发明能够更好的优化目前工艺所带来的P金属电极导电孔内PAD金属断层的风险，同时能够有效改善P金属电极与N

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 115832128 A (43)申请公布日 2023.03.21 (21)申请号 202310120572.2 (22)申请日 2023.02.16 (71)申请人江西兆驰半导体有限公司地址 33