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本发明涉及晶体生长设备技术领域，具体涉及一种碳化硅单晶生长装置及方法，碳化硅单晶生长装置包括结晶炉、多个支撑组件、结晶炉盖、籽晶和两个封闭组件；封闭组件包括安装座、气缸、连接杆和半圆挡板；将碳化硅粉末放入结晶炉内部，而后将结晶炉盖放置在结晶炉顶部对结晶炉进行封闭，通过对结晶炉进行加热，结晶炉内部温度升高将碳化硅粉末直接升华成气体，并传输到籽晶处沉积结晶，此时碳化颗粒会残留在两个半圆挡板上，控制两个气缸分别拉动两个连接杆和两个半圆挡板相互远离，半圆挡板与结晶炉下表面接触，结晶炉下表面会将半圆挡板上
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116163008 A
(43)申请公布日 2023.05.26
(21)申请号 202211692676.2
(22)申请日 2022.12.28
(71)申请人 德清州晶新材料科技有限公司
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